Tiristor za nadzor faze (prosto lebdeči tip)

Opis:

Z razvojem naraščajoče moči in zmogljivosti pretvorniške opreme, zlasti prenosa HVDC, se zahteva ustrezno povečanje izhodne moči tiristorja enote, kar bo zmanjšalo količino namestitve tiristorja v serijsko in vzporedno povezovalno vezje.Velikost in teža naprave se bosta zmanjšali, nižja naložba, enakomeren tok in enakomerna napetost se bosta zlahka realizirali, zanesljivo delovanje in komercialna vrednost se bosta znatno povečala.

Tehnologija prosto lebdečega silicija, ki se uporablja za izdelavo visokozmogljivega visokotokovnega tiristorja, bo izpolnila visoke standardne zahteve uporabe.Julija 2019 je RUNAU Electronics uspešno razvil tiristor 5200 V s 5-palčnim čipom in ga dobavil stranki, ki se je prijavila v kitajski projekt HVDC.

Uvod:

1. Čip

Tiristorski čip visokega standarda, ki ga proizvaja RUNAU Electronics, je uporabljena prosto lebdeča tehnologija.To je dobro priznana najnovejša in zrela tehnologija za proizvodnjo visokonapetostnega tiristorja visoke moči.Široko ga uporablja večina proizvajalcev svetovnega razreda.

Postopek difuzije je bil optimiziran v gostoti in širini, da bi povečali napetostni upor, zmanjšali padec napetosti v stanju vklopa in izboljšali sprožilne in dinamične značilnosti.Nov fotolitografski vzorec je bil zasnovan za izboljšanje lastnosti di/dt in dv/dt.Kontaktna struktura čipa je bila rekonstruirana za zaščito roba silicijeve rezine in površine katode, zmogljivost povratne napetosti se bo močno izboljšala.

2. Enkapsulacija

Prednost tehnologije prosto lebdečega silicija je močno omejena deformacija med rezinami iz silicija in molibdena in zmanjšana poraba rezin iz molibdena.Medtem ko sta ravnost silicijeve rezine in bakrenega bloka paketa zelo zahtevana, sta tudi zahtevi po vzporednosti in hrapavosti višji od tehnologije legirnih čipov.Z nenehnim izboljševanjem in inovacijami je RUNAU Electronic premagal vse tehnične težave in ovire.Razvita je bila prosto lebdeča tehnologija, močan visokonapetostni tiristor z zanesljivim delovanjem in komercialno učinkovito rešitvijo, ki je bila zagotovljena strankam.Večina jih je nameščenih v visokonapetostnem krmiljenem usmerniku, visokonapetostnem mehkem zaganjalniku, prenosu moči HVDC, vleki lokomotiv, dinamični kompenzaciji jalove moči in sistemu za uporabo impulzne moči.

Tehnična specifikacija

1. Fazno krmiljen tiristor s čipom iz zlitine proizvajalca RUNAU Electronics, obseg I_TAVod 350A do 5580A in V_DRM/V_RRMod 3400V do 8500V.
2. I_GT, V_GTin jaz_Hso preskusne vrednosti pri 25 ℃, če ni drugače navedeno, so vsi drugi parametri preskusne vrednosti pod T_jm;
3. I²t=I²F SM × tw/2, tw = osnovna širina sinusnega polvalovnega toka.Pri 50Hz sem²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Pri 60Hz: I_FSM(8,3ms)=I_FSM(10ms)×1,066,T_j=T_j;jaz²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: